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三星确认正在开发具有8层TSV的DDR5内存模块 是DDR4内存容量的两倍
8 月 22 日消息在 HotChips 33 大会上，三星确认正在开发具有8 层 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 内存模块，是 DDR4 内存容量的两倍。这意味着理论上，5
发布时间：
2021-08-23 14:04
科技
2021-08-23
